CAS OpenIR
Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征
王静1; 邓彤2; 杨彩琴1; 林玉龙1; 王伟1; 吴海艳1
2008
Source Publication光谱学与光谱分析
ISSN1000-0593
Volume028Issue:003Pages:715
Abstract采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。结果表明:Ga取代磁铁矿的生成可能经过Ga取代的绿锈中间体,但这种中间体在热N2干燥的条件下就能转化成产物磁铁矿;随Ga进入尖晶石结构中,产物的XRD分析表明其晶面间距减小,IR光谱分析表明标志MT—O—MO的振动吸收峰向高波数移动。少量的Ga进入尖晶石结构优先占据A位,且初始溶液中含有少量Ga^3+能一定程度抑制非磁性的Fe2O3的生成;随Ga含量的增加,其进入B位的趋势增加。
Language英语
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/36299
Collection中国科学院过程工程研究所
Affiliation1.河北医科大学
2.中国科学院过程工程研究所
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GB/T 7714
王静,邓彤,杨彩琴,等. Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征[J]. 光谱学与光谱分析,2008,028(003):715.
APA 王静,邓彤,杨彩琴,林玉龙,王伟,&吴海艳.(2008).Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征.光谱学与光谱分析,028(003),715.
MLA 王静,et al."Ga-Fe_3O_4的室温合成和谱学表征".光谱学与光谱分析 028.003(2008):715.
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