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四氯化硅与甲烷等离子气相合成碳化硅陶瓷粉末的热力学探讨
郭家银; 郑国梁
1986
Source Publication化工冶金
Issue04Pages:43-50
Abstract本文运用 VAX—11/780型计算机,对 Si—Cl—C—H四元气相体系进行了热力学平衡组成的计算及分析。结果表明,在等离子条件下。由 Si Cl_4和 CH_4气相反应合成 Si C 陶瓷粉末材料是可行的。在2400K 左右的反应温度下,可有较高的 Si Cl_4转化率,研究还发现,反应物中同时过量 CH_4和 H_2有利于获得较高的 Si C收率,降低产品中游离 Si 和游离 C 的含量。
Keyword碳化硅陶瓷 四氯化硅 等离子气 结构陶瓷 气相反应 热力学平衡 抗热震 超细粉末 陶瓷粉末 平衡方程式
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/8505
Collection研究所(批量导入)
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GB/T 7714
郭家银,郑国梁. 四氯化硅与甲烷等离子气相合成碳化硅陶瓷粉末的热力学探讨[J]. 化工冶金,1986(04):43-50.
APA 郭家银,&郑国梁.(1986).四氯化硅与甲烷等离子气相合成碳化硅陶瓷粉末的热力学探讨.化工冶金(04),43-50.
MLA 郭家银,et al."四氯化硅与甲烷等离子气相合成碳化硅陶瓷粉末的热力学探讨".化工冶金 .04(1986):43-50.
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