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关于ICP激发机理的讨论述评
黄鑫泉
1989
Source Publication化工冶金
Issue02Pages:72-79
Abstract根据光谱学家们的讨论,本文认为约在1976年以前有两种不同观点:一种为 ICP中存在 LTE,而另一种则持否定意见,约1977年后,大多数光谱学家基本认为后一种意见是正确的,本文所列举的部分 ICP 激发机理模型,部分地解释了为什么在同一等离子体内会出现不同类型温度以及电子数密度的"过密"现象.通过对 Boum(?)ns和 Lovett 的机理模型比较认为,实验过程选用一定的操作参数和计算过程采用一定的常数对机理的提出极为重要。至今所提出的激发机理还不能令人十分满意。
Keyword高频等离子体 激发机理 讨论述评
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:94304
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/8867
Collection研究所(批量导入)
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GB/T 7714
黄鑫泉. 关于ICP激发机理的讨论述评[J]. 化工冶金,1989(02):72-79.
APA 黄鑫泉.(1989).关于ICP激发机理的讨论述评.化工冶金(02),72-79.
MLA 黄鑫泉."关于ICP激发机理的讨论述评".化工冶金 .02(1989):72-79.
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