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碳化合成纳米SiO_2颗粒比表面积的控制机理
古明远; 林荣毅; 郭占成
2010
Source Publication过程工程学报
Issue04Pages:795-801
Abstract以Na_2SiO_3为前驱物,研究了碳化合成纳米SiO_2颗粒比表面积的控制机理.正交实验结果表明,影响其比表面积的次序为Na_2SiO_3浓度>PEG6000添加量>反应温度>CO_2/N_2混合气流量.当反应温度80℃、Na_2SiO_3浓度40g/L、PEG60004g/L、CO_2/N_2混合气流量1.2L/min时,所制SiO_2颗粒的比表面积为318.9m~2/g.随Na_2SiO_3浓度增大,SiO_2胶粒在pH>7的碳化液中Ostwald凝聚生长过程相对延长,颗粒的一次粒径增大,比表面积却随之减小.由于温度对SiO_2溶解度和胶粒Brownian运动的影响,降低反应温度可促进SiO_2成核、减少Si(OH)_4和≡SiOSi(OH)_3的聚合,SiO_2颗粒的比表积增大.添加剂PEG6000的空间架构效应抑制纳米SiO_2颗粒团聚,从而促进SiO_2颗粒比表面积增大;但当其浓度大于7g/L时,Na_2SiO_3分子进入缠绕着的PEG长链架构内部,所得SiO_2颗粒比表面积有所降低.
Keyword碳化反应 Sio2纳米颗粒 比表面积 控制机理
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:3973022
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/9912
Collection研究所(批量导入)
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GB/T 7714
古明远,林荣毅,郭占成. 碳化合成纳米SiO_2颗粒比表面积的控制机理[J]. 过程工程学报,2010(04):795-801.
APA 古明远,林荣毅,&郭占成.(2010).碳化合成纳米SiO_2颗粒比表面积的控制机理.过程工程学报(04),795-801.
MLA 古明远,et al."碳化合成纳米SiO_2颗粒比表面积的控制机理".过程工程学报 .04(2010):795-801.
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