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三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟
黄国强; 毛俊楠; 王红星; 华超
2012
Source Publication人工晶体学报
Issue03Pages:680-686
Abstract建立了氢气和三氯氢硅系统的多晶硅气相沉积反应模型,通过Chemkin 4.0耦合气相反应、表面反应机理,利用流体力学软件Fluent 6.3.26数值求解。根据模拟结果绘制了进气温度、进气组成、沉积表面温度以及反应压力与硅沉积速率的关系曲线,阐述了这些条件对于硅沉积速率的影响,同时把模拟结果与文献中的实验数据和计算结果进行对比。结果表明,硅沉积速率随反应温度和反应压力的提高而提高,随进气温度的提高而提高,当氢气摩尔组成低于0.8时,与氢气物质的量组成成正比,氢气物质的量组成大于0.8时,与氢气摩尔组成成反比。
Keyword化学气相沉积 数值模拟 传质 反应 多晶硅 硅沉积速率
Document Type期刊论文
Version出版稿
Identifierhttp://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/9969
Collection研究所(批量导入)
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GB/T 7714
黄国强,毛俊楠,王红星,等. 三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟[J]. 人工晶体学报,2012(03):680-686.
APA 黄国强,毛俊楠,王红星,&华超.(2012).三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟.人工晶体学报(03),680-686.
MLA 黄国强,et al."三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟".人工晶体学报 .03(2012):680-686.
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